美光正式放弃4F² DRAM路线，押注晶圆键合与3D堆叠技术

美国存储芯片企业 美光 科技正式放弃导入被视为下一代DRAM微缩技术关键关卡的4F²（4F平方）单元结构。外界解读，美光不再强行推进4F²路线，转而延续现有6F²结构，并全力押注晶圆键合、3D堆叠技术路线，试图扭转与韩国竞争对手之间的技术差距，是一次豪赌式战略抉择。 美光于当地时间21日举办技术线上研讨会，公布包含未来十年存储研发方向的多代技术路线图，对外释放上述方针。