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光刻掩膜版,奔向12英寸

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AI 综述

【Tushare 财经通讯】在半导体制造中,最近几十年我们看到了晶体管架构从平面FinFET走向GAA,工艺节点不断缩小,来到2nm以下,光刻光源从436nm(g-line)、365nm(i-line)、248nm(KrF)、193nm(ArF)一路跨越至13.5nm(EUV)。

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报道时间线

沿着报道,了解事件的不同侧面。

10月4日
  1. Tushare 财经通讯精选
    光刻掩膜版,奔向12英寸

    在半导体制造中,最近几十年我们看到了晶体管架构从平面FinFET走向GAA,工艺节点不断缩小,来到2nm以下,光刻光源从436nm(g-line)、365nm(i-line)、248nm(KrF)、193nm(ArF)一路跨越至13.5nm(EUV)。

本事件热度走势

当前热度 9·可比范围峰值 10(10月4日 11:00)·近 24 小时可比范围变化 –

02.557.51010月4日11:0010月4日12:0010月4日12:0010月4日13:00

趋势仅比较持续完整观测到的相同主体,范围可能小于当前热度统计。移动指针或点击图表查看每小时热度;键盘可用左右方向键切换。